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        高頻開關(guān)電源的技術(shù)與特點(diǎn)

        發(fā)布時間: 2016-06-21 14:20:00    關(guān)注量:1603

          一、高頻開關(guān)電源產(chǎn)品-技術(shù)特點(diǎn)

          1、以先進(jìn)的軟開關(guān)逆變技術(shù)為核心,主控制系統(tǒng)采用特有的多環(huán)控技術(shù),保證產(chǎn)品的可靠性和高精度控制性能,嚴(yán)格的質(zhì)量管控,完善的保護(hù)功能,提升產(chǎn)品穩(wěn)定性。
          2、采用納米基材料的主高頻變壓器,以進(jìn)口大功率絕緣柵雙極型晶體管“IGBT”模塊為主功率器件,優(yōu)質(zhì)選材,確保品質(zhì)。
          3、先進(jìn)散熱設(shè)計理念,多種散熱方式互補(bǔ),確保產(chǎn)品的高效穩(wěn)定。
          4、全數(shù)字化設(shè)計,控制更精準(zhǔn)。支持總線控制,可組建中央控制電源系統(tǒng)便于管理、提高效率。
          5、模塊開關(guān)電源設(shè)計,通過設(shè)計N+1冗余電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)容量擴(kuò)展,提高電源系統(tǒng)的可靠性可用性,縮短維修維護(hù)時間,使企業(yè)產(chǎn)生更大的效益。
          6、保護(hù)功能完備:具有缺相、過壓、欠壓、短路、過流、過熱、(缺水)等保護(hù),呵護(hù)設(shè)備。

          二、高頻開關(guān)電源-電鍍優(yōu)勢

          1、降低孔隙率晶核的形成速度大于成長速度,促使晶核細(xì)化。

          2、改善結(jié)合力使鈍化膜擊穿,有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。

          3、改善覆蓋能力和分散能力,陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積,減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過度消耗而帶來的“燒焦”“樹枝狀”沉積的缺陷,對于獲得一個給定特性鍍層(如顏色、無孔隙等)的厚度可減少原來1/3一1/2的原材料。
          4、降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力,改善晶體缺陷雜質(zhì)空洞瘤子等,容易得到無裂紋的鍍層,減少添加劑。
          5、有利于獲得成份穩(wěn)定的合金鍍層。
          6、改善陽極的溶解,不需陽極活化劑。
          7、改進(jìn)鍍層的機(jī)械物理性能,如提高密度降低表面電阻,提高韌性、耐磨性、抗蝕性而且可以控制鍍層硬度。傳統(tǒng)的電鍍抑制副作用的產(chǎn)生、改善電流分布、調(diào)節(jié)鍍液相傳質(zhì)過程、控制結(jié)晶取向顯得毫無作用,面對綜合劑和添加劑的研究成了電鍍工藝研究的主要方向。納米開關(guān)電源解決了傳統(tǒng)整流器存在的缺陷。
          8、提高產(chǎn)品成品率、產(chǎn)品質(zhì)量。

          三、高頻開關(guān)電源-突出進(jìn)步

          1、由于脈沖電流對電極過程動力學(xué)的影響所決定的,其中最主要的是對傳質(zhì)過程中的影響。在直流電鍍時,鍍液中被鍍出的金屬離子在陰極表面附近溶液中逐漸被消耗,造成了該處被鍍金屬離子與溶液中該離子的濃度出現(xiàn)差別,這種差別隨著使用電流密度增高而加大。當(dāng)陰極附近鍍液層中的該離子的濃度降低到零時,就達(dá)到了所謂的極限電流密度,傳質(zhì)過程完全受擴(kuò)散控制。

          2、在高頻開關(guān)電源電鍍時,由于有關(guān)斷時間的存在,被消耗的金屬離子利用這段時間擴(kuò)散、補(bǔ)充到陰極附近,當(dāng)下一個導(dǎo)通時間到來時,陰極附近的金屬離子濃度得以恢復(fù),故可以使用較高的電流密度。因此高頻開關(guān)電源電鍍時的傳質(zhì)過程與直流電鍍時傳質(zhì)過程的差異,造成了峰值電流可以高于平均電流,促使晶體形成的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體長大的速度,使鍍層結(jié)晶細(xì)化,排列緊密。孔隙減小,電阻率低。此外,直流電鍍時的連續(xù)陰極極化電位下的各種物質(zhì),在陰極表面的吸脫附過程與脈沖條件下的間斷高陰極極化電位下的吸脫過程的機(jī)理有很大差異,造成了同樣的溶液配方及添加劑在電源波形不同時,表現(xiàn)的作用差別也很大。



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